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电子元器件详细资料 » IC[26121] » IRFB9N60APBF
型号:IRFB9N60APBF类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-220-3描述:MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
系列-
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)600V
电流_连续漏极(Id)0a025000C9.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C750 毫欧 @ 5.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs49nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1400pF @ 25V
功率_最大170W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220AB
包装管件

供应商

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深圳市银芯龙科技有限公司欧阳13510131896
HECC GROUP CO,LIMITEDSante Zhang/Mollie086-755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
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