型号:IRFB9N60APBF | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:TO-220-3 | 描述:MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB |
系列 | - |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 9.2A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 750 毫欧 @ 5.5A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 49nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1400pF @ 25V |
功率_最大 | 170W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 |
供应商
深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生0755-82561519 |
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
HECC GROUP CO,LIMITED | Sante Zhang/Mollie086-755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890 |
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